日本理化研究所研究人員在２８日的美國《物理評論通訊》雜志網(wǎng)絡版上發(fā)表論文說，他們發(fā)現(xiàn)一種人工合成的鎘鋨氧化物在特定溫度下由導體變?yōu)榉谴判园雽w的原因。這種特性使其能夠成為不怕消磁的存儲新材料。
根據(jù)理化研究所日前發(fā)表的新聞公報，多數(shù)物質(zhì)在不同溫度下其導電性能并不會發(fā)生變化，而有些種類的金屬氧化物在溫度變化時導電性能會發(fā)生改變。一種人工合成的鎘鋨氧化物在室溫下?lián)碛辛己玫膶щ娦阅?，而被冷卻到零下５２攝氏度時，它會從導體轉(zhuǎn)變成非磁性半導體。
來自理化研究所、東京大學、神戶大學等機構的研究人員嘗試利用大型同步輻射加速器ＳＰｒｉｎｇ－８發(fā)出的Ｘ射線，觀察這種鎘鋨氧化物中鋨原子電子自旋的排列，發(fā)現(xiàn)這種氧化物轉(zhuǎn)變?yōu)榘雽w的同時，電子自旋排列出現(xiàn)了兩種方向。這種特殊的排列使氧化物整體的磁性消失，而兩種自旋方向則可分別代表數(shù)據(jù)存儲所必需的０和１兩種狀態(tài)。
公報指出，迄今的磁存儲介質(zhì)一旦靠近強磁場，存儲的數(shù)據(jù)有被消除的危險。而這種鎘鋨氧化物由于沒有磁性，因而不怕消磁，有望成為新的存儲材料。不過，離實際應用還要解決諸多課題，比如如何使這種物質(zhì)在室溫下就能出現(xiàn)電子自旋排列改變，鎘和鋨的毒性處理等等。（新華網(wǎng)）